科华微电子亮相科技周

百年回望、崇尚科学、自立自强，2021年全国科技周近日开幕。北京科华微电子材料入选2021年北京市顺义区科技活动周参展企业。

科华微电子248nm光刻胶新品在本届科技周中亮相。顺义区委常委、副区长徐晓俊、顺义区科委党组书记、主任袁日晨；科技企业代表、清华大学专家等出席启动仪式。

KMP DK3050是高活化能体系的高分辨深紫外正性光刻胶，适用于12寸逻辑电路制程55nm节点的关键离子注入层，在光硅基底上有良好的工艺窗口和解析度，符合工艺需求的垂直形貌。
启动仪式后，与会领导和嘉宾共同参观了主题展厅。科技周自5月24日开幕至5月28日结束。

北京科华微电子材料有限公司2010年承担了国家02科技重大专项“248nm光刻胶研发与产业化”项目，2014年完成产业化正式形成销售。十年间，北京科华的248nm光刻胶产品从无到有，从1款非关键层产品小批量销售发展至今，科华微电子的KrF光刻胶产品应用涵盖了AA/poly/metal关键层以及TM/TV、Implant 、Contact /Hole等，目前已有7款产品在客户端形成批量销售，进入中芯国际、上海华力微电子、长江存储科技、武汉新芯、上海华虹宏力等国内主流用户中批量使用；同时有5款新品在客户端验证。其中KMP DK1080荣获第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖；KMP DK1089荣获第二十二届（2020年度）中国国际高新技术成果交易会优秀产品奖，科华微电子的248nm光刻胶已经进入了快速增长轨道。

KMP DK1081是低活化能体系的高分辨深紫外正性光刻胶，适用于8寸逻辑电路制程180nm节点的关键金属层，同时适用于8寸逻辑130nm及12寸64层存储的离子注入层，在光硅基底及抗反射层基底上都具有良好的工艺窗口和解析度。

KMP DK2060是低活化能体系的高分辨深紫外正性光刻胶，适用于8寸逻辑电路制程150nm节点的关键孔洞层，同时适用于12寸逻辑55nm及12寸64层存储的非关键孔洞层，在光硅基底及抗反射层基底上都具有良好的工艺窗口和解析度。